Transistoren – Mouser Schweiz

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Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 17.54 CHF
12Auf Lager
600erwartet ab 26.03.2027
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SCT019HU120G3AG

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511-SCT019HU120G3AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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600erwartet ab 26.03.2027

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17.54 CHF

13.10 CHF

10.06 CHF

Reel

10.01 CHF

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: 600

SiC MOSFETS

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 13.60 CHF
2 311Auf Lager

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SCTL35N65G2V

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511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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2 311Auf Lager

Cut-Tape

13.60 CHF

9.61 CHF

8.25 CHF

7.81 CHF

Reel

7.81 CHF

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Mult.: 1

: 3 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 24.74 CHF
1 597Auf Lager

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SCTL90N65G2V

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511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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1 597Auf Lager

Cut-Tape

24.74 CHF

18.12 CHF

17.69 CHF

16.75 CHF

Reel

16.75 CHF

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 19.80 CHF
410Auf Lager
Neues Produkt

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SCT016H120G3AG

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511-SCT016H120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

410Auf Lager

Cut-Tape

19.80 CHF

14.31 CHF

14.10 CHF

13.62 CHF

Reel

12.47 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 18.04 CHF
218Auf Lager
600erwartet ab 25.09.2026
Neues Produkt

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SCT020HU120G3AG

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511-SCT020HU120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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218Auf Lager

600erwartet ab 25.09.2026

Cut-Tape

18.04 CHF

13.48 CHF

11.65 CHF

Reel

10.31 CHF

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Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.79 CHF
860Auf Lager
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SCT027H65G3AG

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511-SCT027H65G3AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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860Auf Lager

Cut-Tape

10.79 CHF

7.53 CHF

6.12 CHF

Reel

5.79 CHF

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: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7.26 CHF
1 714Auf Lager
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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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1 714Auf Lager

Cut-Tape

7.26 CHF

4.96 CHF

4.09 CHF

3.72 CHF

3.40 CHF

Reel

3.40 CHF

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: 1 800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 21.19 CHF
596Auf Lager

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SCT015W120G3-4AG

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511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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596Auf Lager

21.19 CHF

16.96 CHF

14.67 CHF

13.89 CHF

Kostenvoranschlag

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 14.81 CHF
455Auf Lager

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SCT018W65G3-4AG

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511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

455Auf Lager

14.81 CHF

11.28 CHF

9.40 CHF

8.37 CHF

7.83 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16.04 CHF
362Auf Lager

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SCT020W120G3-4AG

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511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

362Auf Lager

16.04 CHF

10.03 CHF

9.54 CHF

Min.: 1
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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16.24 CHF
275Auf Lager
1 200erwartet ab 31.08.2026

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SCT025W120G3-4AG

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511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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275Auf Lager

1 200erwartet ab 31.08.2026

16.24 CHF

11.54 CHF

9.95 CHF

8.94 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 15.03 CHF
400Auf Lager

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SCT025W120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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Datenblatt

400Auf Lager

15.03 CHF

9.35 CHF

8.77 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 13.13 CHF
246Auf Lager

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SCT027W65G3-4AG

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511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Datenblatt

246Auf Lager

13.13 CHF

10.02 CHF

6.96 CHF

5.92 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11.16 CHF
357Auf Lager
600erwartet ab 31.07.2026

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SCT040W120G3-4AG

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511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

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357Auf Lager

600erwartet ab 31.07.2026

11.16 CHF

7.80 CHF

5.91 CHF

5.43 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 11.02 CHF
496Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3AG

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511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Datenblatt

496Auf Lager

11.02 CHF

7.74 CHF

5.98 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 9.15 CHF
517Auf Lager

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SCT040W65G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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517Auf Lager

9.15 CHF

5.50 CHF

4.90 CHF

4.71 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 10.64 CHF
481Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

481Auf Lager

10.64 CHF

7.71 CHF

6.60 CHF

5.69 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11.49 CHF
281Auf Lager
1 200erwartet ab 10.08.2026

Herst. Teilenr.
SCT070W120G3-4AG

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511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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281Auf Lager

1 200erwartet ab 10.08.2026

11.49 CHF

8.76 CHF

6.78 CHF

5.74 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 17.45 CHF
33Auf Lager
1 000erwartet ab 17.08.2026

Herst. Teilenr.
SCT012H90G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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33Auf Lager

1 000erwartet ab 17.08.2026

Cut-Tape

17.45 CHF

12.52 CHF

11.37 CHF

11.36 CHF

Reel

10.76 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 13.14 CHF
45Auf Lager
1 000erwartet ab 26.02.2027

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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45Auf Lager

1 000erwartet ab 26.02.2027

Cut-Tape

13.14 CHF

9.27 CHF

8.86 CHF

7.90 CHF

Reel

7.38 CHF

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.81 CHF
54Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

54Auf Lager

Cut-Tape

10.81 CHF

7.54 CHF

6.13 CHF

Reel

5.80 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 10.37 CHF
49Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT070H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

49Auf Lager

Cut-Tape

10.37 CHF

7.22 CHF

5.81 CHF

Reel

5.50 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 9.60 CHF
843Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Datenblatt

843Auf Lager

Cut-Tape

9.60 CHF

6.66 CHF

5.26 CHF

Reel

4.97 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: 7.54 CHF
481Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT1000N170

Mouser-Teilenr.
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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Datenblatt

481Auf Lager

7.54 CHF

5.15 CHF

4.29 CHF

3.25 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 13.56 CHF
378Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT20N120AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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378Auf Lager

13.56 CHF

9.62 CHF

6.88 CHF

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