ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Leistungs-MOSFET
Der ROHM Semiconductor SH8M Dual-Nch+Pch-Leistungs-MOSFET enthält zwei 60 V MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Er bietet einen niedrigen ON-Widerstand, ±6,5 A/±7 A Drain-Strom-ID, 32 mΩ bis 33 mΩ RDS(on) max. und 2 W Verlustleistung. Der SH8M Dual-Nch+Pch-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor nutzt eine bleifreie Beschichtung und ist halogenfrei sowie RoHs-konform. Der SH8M ist ideal für Schaltanwendungen.
Merkmale
- Doppelte Nch+Pch-Polarität
- 8 Anschlüsse
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (SOP8)
- Ideal für Schaltanwendungen
- Bleifreie Beschichtung
- RoHS-konform
- Halogenfrei
Technische Daten
- -60 V bis 60 V Drain-Quellspannung (VDSS)
- 32 mΩ bis 33 mΩ RDS(on) max.
- ±6,5 A/±7 A Drainstrom-ID
- 2 W Verlustleistung
Vergleichstabelle
Geringere Größe und Anzahl von Bauteilen
Lösungsbeispiele
• QH8MC5 (±60 V Nch+Pch Dual-MOSFET) + BD63001AMUV (3-Phasen-Vortreiber-IC für bürstenlose Motoren)
• SH8KB6 (+40 V Nch+Nch Dual-MOSFET) + BM62300MUV (3-Phasen-Vortreiber-IC für bürstenlose Motoren)
• SH8KB6 (+40 V Nch+Nch Dual-MOSFET) + BD63002AMUV (3-Phasen-Vortreiber-IC für bürstenlose Motoren)
Weitere Ressourcen
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