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SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs
Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen RDS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.