ROHM Semiconductor SCT3x SiC-Trench-MOSFETs der 3. Generation
Die SiC-Trench-MOSFETs der SCT3x-Baureihe von ROHM Semiconductor nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den ON-Widerstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Dies führt zu deutlich niedrigeren Schaltverlusten und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und verbessert den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Reduzierung der Verlustleistung in einer Vielzahl von Geräten. Das Produktsortiment umfasst 650-V- und 1.200-V-Varianten für eine breite Anwendbarkeit.
Merkmale
- Der niedrige ON-Widerstand verbessert die Leistungsdichte des Umrichters
- 650 V: 17 mΩ bis 120 mΩ
- 1.200 V: 22 mΩ bis 160 mΩ
- Unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Minimales Sperrverzögerungsverhalten der Body-Diode
- Kleiner Qg und parasitäre Kapazität
- Hohe Betriebstemperatur (Tjmax=175 °C)
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Solarwechselrichter
- USV
- EV-Ladegeräte
- Geräte für Induktionserwärmung
- Motorantriebe
- Züge
- Windenergie-Leistungswandler
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