N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor AC/DC-Wandler Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 250V 8A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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