ROHM Semiconductor RY7P250BM Leistungs-MOSFET
Der RY7P250BM Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist mit einem niedrigen On-Widerstand von 1,86 mΩ (maximal) und einem DFN8080-Hochleistung-Gehäuse ausgestattet. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V DSS) von 100 V, einen Drainstrom (I D) von ±300 A und eine Verlustleistung (P D) von 340 W. Der RY7P250BM MOSFET von ROHM bietet einen breiten sicheren Wirkbereich (SOA), der dem MOSFET hilft, höhere Spannungen und Ströme ohne Beschädigung zu widerstehen, was die Robustheit und Zuverlässigkeit erhöht. Der RY7P250BM MOSFET von ROHM ist für hot-swap-fähige Reglerapplikationen (HSC) geeignet.
Merkmale
- 1,43 mΩ (typisch) niedriger On-Widerstand (R DS(on) (typisch))
- 1,86 mΩ (maximal) niedriger On-Widerstand (RDS(on) (maximal))
- 100 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- ±300 A Drainstrom (ID)
- 340 WW Verlustleistung (PD)
- Großer sicherer Wirkbereich (SOA)
- DFN8080 Hochleistungspaket
- Bleifreie Beschichtung
- RoHs-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Applikationen
- 48 VHot-swap-fähiger Regler (HSC) für 48 V KI-Stromversorgung
- 48 V Stromversorgung für industrielle Geräte (z. B. Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter und Lüftermotoren)
- Batteriebetriebene Industriegeräte, wie z. B. Automatisch geführte Fahrzeuge (AGV)
- UVS und andere Notstromsysteme (Batterie-Backup-Einheiten)
Ressourcen
Gehäusetyp
Videos
Infografik
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-12
| Aktualisiert: 2025-12-04