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RY7P250BMTBC

Name: ROHM Semiconductor RY7P250BMTBC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RY7P250BMTBC
Price: 6.66 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RY7P250BMTBC

Herst.- Nr.:

RY7P250BMTBC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RY7P250BMTBC Datenblatt

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.66	CHF 6.66
	CHF 4.61	CHF 46.10
	CHF 3.60	CHF 360.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 3.05	CHF 7 625.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN8080-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	300 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.86 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	340 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	200 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	90 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	195 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	72 ns

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Datenblatt

RY7P250BMTBC Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RY7P250BM Leistungs-MOSFET

Der RY7P250BM Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist mit einem niedrigen On-Widerstand von 1,86 mΩ (maximal) und einem DFN8080-Hochleistung-Gehäuse ausgestattet. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 100 V, einen Drainstrom (I_D) von ±300 A und eine Verlustleistung (P_D) von 340 W. Der RY7P250BM MOSFET von ROHM bietet einen breiten sicheren Wirkbereich (SOA), der dem MOSFET hilft, höhere Spannungen und Ströme ohne Beschädigung zu widerstehen, was die Robustheit und Zuverlässigkeit erhöht. Der RY7P250BM MOSFET von ROHM ist für hot-swap-fähige Reglerapplikationen (HSC) geeignet.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.