Zurück zu ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs RQxAT von ROHM Semiconductor  verfügen über eine Gehäuse für Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft. Diese P-Kanal-MOSFETs bieten eine Gate-Source-Spannung von ±20 V. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT verfügen über einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 240 mΩ bzw. 99 mΩ. Diese P-Kanal-MOSFETs sind RoHs-konform und halogenfrei. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT bieten eine Drain-Source-Spannung von -80 V bzw. -60 V. Diese P-Kanal-MOSFETs arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C. Typische Applikationen umfassen Schalt- und Motorantriebe.

Merkmale

  • Geringer On-Widerstand
  • Hochleistung, kleines Formkörpergehäuse (HSMT8) (RQ3N025AT)
  • Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT3) (RQ5L030AT)
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHs-konform
  • Halogenfrei
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Schalter
  • Motorantriebe
View Results ( 2 ) Page
Teilnummer Datenblatt Abfallzeit Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. Id - Drain-Gleichstrom Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur
RQ3N025ATTB1 RQ3N025ATTB1 Datenblatt 15 ns 2.4 S 7 A 14 W 13 nC 240 mOhms 6.4 ns - 55 C + 150 C
RQ5L030ATTCL RQ5L030ATTCL Datenblatt 31 ns 4 S 3 A 1 W 17.2 nC 99 mOhms 17 ns - 55 C + 150 C
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-30 | Aktualisiert: 2025-08-21