RQxAT P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs RQxAT von ROHM Semiconductor  verfügen über eine Gehäuse für Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft. Diese P-Kanal-MOSFETs bieten eine Gate-Source-Spannung von ±20 V. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT verfügen über einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 240 mΩ bzw. 99 mΩ. Diese P-Kanal-MOSFETs sind RoHs-konform und halogenfrei. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT bieten eine Drain-Source-Spannung von -80 V bzw. -60 V. Diese P-Kanal-MOSFETs arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C. Typische Applikationen umfassen Schalt- und Motorantriebe.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
Datenblatt
2 320Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 80 V 7 A 240 mOhms 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
Datenblatt
2 400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 99 mOhms 20 V 2.5 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape