ROHM Semiconductor RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET
Der RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand, das in einem High-Power-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8) untergebracht ist. Der RQ3G110AT verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind zudem halogenfrei.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- High-Power-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
- Halogenfrei
Applikationen
- Schaltung
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ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-08
| Aktualisiert: 2022-06-01