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RQ3G110ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G110ATTB
Price: 1.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3G110ATTB

Herst.- Nr.:

RQ3G110ATTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A

Datenblatt:

RQ3G110ATTB Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.83	CHF 1.83
	CHF 1.06	CHF 10.60
	CHF 0.777	CHF 77.70
	CHF 0.658	CHF 329.00
	CHF 0.607	CHF 607.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.544	CHF 1 632.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	75 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	41 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	RQ3G110AT

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CNHTS:: 8541290000
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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET

Der RQ3G110AT P-Kanal 40-V- 35-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand, das in einem High-Power-Small-Mold-Gehäuse (HSMT8) untergebracht ist. Der RQ3G110AT verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind zudem halogenfrei.