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ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7L04CBJFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -60 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±36 A, das nach AEC-Q101 zugelassen ist. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt 41 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A) und das Bauteil ist in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8-Gehäuse (DFN3333T8LSAB) erhältlich. Der RH7L04CBJFRA MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 41 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A)
    • 47 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -10 A)
  • Verlustleistung (PD): 62 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 35,0 nC (typ.) (VDD = -30 V, ID = -10 A, VGS = -10 V)
    • 16,0 nC (typ.) (VDD = -30 V, ID = -10 A, VGS = -4,5 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-25 | Aktualisiert: 2025-08-19