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RH7L04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L04CBJFRATCB
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7L04CBJFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7L04CBJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN8 P CHAN 60V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7L04CBJFRATCB Datenblatt

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	1.67 CHF	1.67 CHF
	1.07 CHF	10.70 CHF
	0.721 CHF	72.10 CHF
	0.572 CHF	286.00 CHF
	0.524 CHF	524.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.469 CHF	1 407.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	125 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

RH7L04CBJFRATCB Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

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