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ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der 60-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7L03 von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±35 A, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist. Dieser MOSFET hat einen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] von 26,4 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, ID = 20 A und wird in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse geliefert. Der RH7L03 MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Maximale Gate-Source-Spannung (VGSS): ±20 V
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 26,4 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
    • 42 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
  • Verlustleistung (PD): 33 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 6,8 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
    • 3,7 nC (typ.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24 | Aktualisiert: 2025-08-19