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RH7L03BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L03BBKFRATCB
Price: 1.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7L03BBKFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7L03BBKFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN8 N CHAN 40V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7L03BBKFRATCB Datenblatt

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	CHF 0.923	CHF 9.23
	CHF 0.613	CHF 61.30
	CHF 0.503	CHF 251.50
	CHF 0.447	CHF 447.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.382	CHF 1 146.00
	CHF 0.377	CHF 2 262.00
	CHF 0.373	CHF 8 952.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	33 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	SIngle
Abfallzeit:	4.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.4 ns

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Datenblatt

RH7L03BBKFRATCB Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der 60-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7L03 von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 60 V und einem Dauersenkenstrom (I_D) von ±35 A, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist. Dieser MOSFET hat einen Drain-Source-Einschaltwiderstand [R_DS(ON)] von 26,4 mΩ (max.) bei V_GS = 10 V, I_D = 20 A und wird in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse geliefert. Der RH7L03 MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.