ROHM Semiconductor RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs
Die RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust. Diese IGBTs verfügen über 1.200 V Kollektor-Emitter-Nennspannung und 69 A Kollektor-Nennstrom. Die RGA80Tx Bauteile von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren, HV-Heizgeräte für Fahrzeuganwendungen und Wechselrichter für Industrieapplikationen.
Merkmale
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- 10 μs Kurzschlussfestigkeitszeit
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Eingebaute sehr schnelle und sanfte Wiederherstellungs-FRD
- Bleifreie Leitungsbeschichtung
- RoHS-konform
Applikationen
- Allgemeiner Wechselrichter für Automotive- und Industrie-Applikationen
- HV-Heizung
- Relaisschaltung (exkl. Vorladungsrelais)
Integrierte Schaltungen
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| RGA80TRX2EHRC15 |  |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TRX2HRC15 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2EHRC11 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
| RGA80TSX2HRC11 | |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive |
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-14
| Aktualisiert: 2024-10-17