RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust. Diese IGBTs verfügen über 1.200 V Kollektor-Emitter-Nennspannung und 69 A Kollektor-Nennstrom. Die RGA80Tx Bauteile von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren, HV-Heizgeräte für Fahrzeuganwendungen und Wechselrichter für Industrieapplikationen.

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Datenblatt
894Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Datenblatt
414Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Datenblatt
366Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Datenblatt
421Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube