ROHM Semiconductor RF6G035BG Leistungs-MOSFET
Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine Spannung zwischen Drain und Source (VDSS) von 40 V und einen Dauersenkenstrom (ID) von ±3,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS (on)) von 46 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (PD). Der RF6G035BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauelement enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6/SOT-363T)
- Halogenfrei
Technische Daten
- Spannung zwischen Drain und Source (VDSS): 40 V
- Spannung zwischen Gate und Source (VGSS): ±20 V
- -55 °C bis 150 °C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
- RDS (on)(max.): 46 mΩ
- Dauersenkenstrom (ID): ±3,5 A
- Verlustleistung (PD): 1 W
Applikationen
- Motorantriebe
- Schalten
- DC/DC-Wandler
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-30
| Aktualisiert: 2024-02-02