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RF6G035BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6G035BGTCR
Price: 0.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF6G035BGTCR

Herst.- Nr.:

RF6G035BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SOT363 N-CH 40V 3.5A

Datenblatt:

RF6G035BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.571 CHF	0.57 CHF
	0.355 CHF	3.55 CHF
	0.229 CHF	22.90 CHF
	0.173 CHF	86.50 CHF
	0.156 CHF	156.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.124 CHF	372.00 CHF
	0.113 CHF	678.00 CHF
	0.106 CHF	2 544.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363T-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	46 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.4 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns

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Datenblatt

RF6G035BGTCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RF6G035BG Leistungs-MOSFET

Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine Spannung zwischen Drain und Source (V_DSS) von 40 V und einen Dauersenkenstrom (I_D) von ±3,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_{DS (on)}) von 46 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (P_D). Der RF6G035BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauelement enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.