ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein 40 V, 80 A, 100 % Avalanche-getestetes Halbleiterbauteil mit niedrigem On-Widerstand. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen Impuls-Drainstrom von ±160 A, eine Gate-Quellenspannung von ±20 V und eine Verlustleistung von 96 W. Der RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, RoHS-konform und wird in einem TO-252-Gehäuse (DPAK) geliefert. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserieelektronik.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- 100 % Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert
- Pd-freie Beschichtung
- RoHS-konform
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Spannung
- ±80 AA Dauersenkenstrom
- ±160 A Impuls-Drainstrom
- ±20 V Gate-Source-Spannung
- 96 WW Verlustleistung
- TO-252-Gehäuse (DPAK)
- -55 °C bis 175 °C Betriebstemperaturbereich
Applikationen
- Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS)
- Infotainment
- Beleuchtung
- Karosserieelektronik
Messschaltungen
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-18
| Aktualisiert: 2024-08-01