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RD3G08CBLHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08CBLHRBTL
Price: 2.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3G08CBLHRBTL

Herst.- Nr.:

RD3G08CBLHRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RD3G08CBLHRBTL Datenblatt

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	CHF 1.40	CHF 14.00
	CHF 0.999	CHF 99.90
	CHF 0.835	CHF 417.50
	CHF 0.802	CHF 802.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.68	CHF 1 700.00
	CHF 0.673	CHF 3 365.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns

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RD3G08CBLHRBTL Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein 40 V, 80 A, 100 % Avalanche-getestetes Halbleiterbauteil mit niedrigem On-Widerstand. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen Impuls-Drainstrom von ±160 A, eine Gate-Quellenspannung von ±20 V und eine Verlustleistung von 96 W. Der RD3G08CBLHRB n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, RoHS-konform und wird in einem TO-252-Gehäuse (DPAK) geliefert. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserieelektronik.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.