ROHM Semiconductor RBQxx45ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedrigem IR
Die RBQxx45ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedrigem IR von ROHM Semiconductor sind gängige Kathoden-Dioden, die in einem Power-Molded-Typ-Gehäuse (TO-220FN) verfügbar sind. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt. Die RBQxx45ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten einen niedrigen IR und eine hohe Zuverlässigkeit und eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.
Merkmale
- Gemeinsamer Kathodentyp
- Hochzuverlässig
- Niedriger IR
- Leistungsgeformter Typ (TO-220FN)
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Allgemeines Gleichrichten
Diodenstruktur und Abmessungen (in mm)
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-04
| Aktualisiert: 2024-10-29