ROHM Semiconductor RBQxx45ATL Hochzuverlässige Schottky-Barriere-Dioden
Die RBQxx45ATL Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind Dioden mit niedriger VF, niedrigem IR und hohem ESD-Widerstand, die entweder in TO-263S- (D2PAK) oder TO-252-Gehäusen (DPAK) verfügbar sind. Diese Schottky-Barriere-Dioden sind Kathoden-gängige Dual-Typ-Bauteile, die unter Verwendung einer planaren Silizium-Epitaxial-Bauweise hergestellt werden. Die RBQxx45ATL Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Zuverlässigkeit und eignen sich für Telefone und verschiedene tragbare Elektronik, Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.
Merkmale
- Kathode gemeinsamer Dual-Typ
- Niedriger IR und niedrige VF
- Hohe ESD-Beständigkeit
- Hochzuverlässig
- Leistungsgeformter Typ TO-263S (D2PAK) oder TO-252 (DPAK)
- Epitaxische planare Silizium-Konstruktion
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Allgemeines Gleichrichten
- Mobiltelefone und verschiedene tragbare Elektronikgeräte
Strom- und Spannungsdiagramm
Weitere Ressourcen
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-09
| Aktualisiert: 2024-10-31