Zurück zu ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der AG508EGD3 -40 V/-40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Fahrzeug-MOSFET, der gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand (0,024 Ω bei VGS= 4,5V) und eignet sich für Applikationen in Fahrzeugsystemen. Er ist in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei und RoHS-konform. Der AG508EGD3 von ROHM Semiconductor ist auf eine Drain-Quellen-Spannung (VDSS) von -40 V ausgelegt und hat einen Dauersenkenstrom (ID) (bei VGS=-10) von ±40 A.

Merkmale

  • Geringer Einschaltwiderstand
  • Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
  • 100 % Avalanche-getestet
  • AEC-Q101-qualifiziert

Technische Daten

  • Statischer Drain-Quellen-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 18,1 Ω (typisch), 24 Ω (maximal) (VGS= -10 V, ID= -10 V)
    • 24,0 Ω (typ.), 31 Ω (max.) (VGS= -4,5 V,ID= -10 A)
  • -40 V Drain-Quellen-Spannung (VDSS)
  • ±40 A Dauersenkenstrom (ID) (bei VGS= -10 V)
  • ±80 A gepulster Drainstrom (IDP)
  • +5/-20 V Gate-Quellen-Spannung (VGSS)
  • Gesamt GATE-Ladung (Qg)
    • 27,6 nC (typ.) (VDD= -20 V,ID= -10 A, VGS= -10 V)
    • 13,0 nC (typ.) (VDD= -20 V,ID= -10 A, VGS= -4,5 V)
  • 53 W Verlustleistung (PD)
  • Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C

Schaltdiagramm

Schaltplan - ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-23 | Aktualisiert: 2025-08-06