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AG508EGD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG508EGD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG508EGD3HRBTL
Price: 1.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-AG508EGD3HRBTL

Herst.- Nr.:

AG508EGD3HRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 P CHAN 40V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AG508EGD3HRBTL Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.47 CHF	1.47 CHF
	0.931 CHF	9.31 CHF
	0.625 CHF	62.50 CHF
	0.493 CHF	246.50 CHF
	0.451 CHF	451.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.405 CHF	1 012.50 CHF
	0.392 CHF	1 960.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	27.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	53 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

AG508EGD3HRBTL Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der AG508EGD3 -40 V/-40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Fahrzeug-MOSFET, der gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand (0,024 Ω bei V_GS= 4,5V) und eignet sich für Applikationen in Fahrzeugsystemen. Er ist in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei und RoHS-konform. Der AG508EGD3 von ROHM Semiconductor ist auf eine Drain-Quellen-Spannung (V_DSS) von -40 V ausgelegt und hat einen Dauersenkenstrom (ID) (bei V_GS=-10) von ±40 A.