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AG508EGD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG508EGD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG508EGD3HRBTL
Price: 1.4 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-AG508EGD3HRBTL

Herst.- Nr.:

AG508EGD3HRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 P CHAN 40V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AG508EGD3HRBTL Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.40 CHF	1.40 CHF
	0.891 CHF	8.91 CHF
	0.597 CHF	59.70 CHF
	0.471 CHF	235.50 CHF
	0.431 CHF	431.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.398 CHF	995.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	27.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	53 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

AG508EGD3HRBTL Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der AG508EGD3 -40 V/-40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Fahrzeug-MOSFET, der gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand (0,024 Ω bei V_GS= 4,5V) und eignet sich für Applikationen in Fahrzeugsystemen. Er ist in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei und RoHS-konform. Der AG508EGD3 von ROHM Semiconductor ist auf eine Drain-Quellen-Spannung (V_DSS) von -40 V ausgelegt und hat einen Dauersenkenstrom (ID) (bei V_GS=-10) von ±40 A.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.