ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor liefern eine Durchbruchspannung von 600 V, die weit über der Obergrenze für Silizium-SBDs liegt. Die AEC-Q101-Dioden verwenden SiC, wodurch sie sich ideal für PFC-Schaltungen und Wechselrichter eignen. Darüber hinaus wird das Hochgeschwindigkeitsschalten mit einer extrem kurzen Sperrverzögerungszeit ermöglicht. Dies minimiert sowohl die Sperrverzögerungsladung als auch den Schaltverlust und trägt zur Miniaturisierung des Endprodukts bei. Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden bieten einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V, einen Dauerdurchlassstrombereich von 1,2 uA bis 260 uA und einen Gesamtverlustleistungsbereich zwischen 48 W und 280 W. Die Bauteile sind in den Gehäusen TO-220, TO-247 und TO-263 mit einer maximalen Temperatur von +175 °C erhältlich.