Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden AECQ
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden AECQ
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
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