ROHM Semiconductor 600 V PrestoMOS™ Super Junction-MOSFETs der 4. Gen.
600 V PrestoMOS Super Junction-MOSFETs von ROHM Semiconductor der 4. Generation ™ nutzen die patentierte Originaltechnologie zur Beschleunigung der parasitären Diode, wodurch eine extrem schnelle Sperrverzögerung und ein sofortiger geringerer Stromverbrauch erzielt werden kann. Das Design des PrestoMOS ermöglicht im Vergleich zu IGBT- Implementierungen eine Reduzierung des Leistungsverlusts von ca. 58 % bei geringer Beanspruchung. Darüber hinaus verhindert das Erhöhen der zum Einschalten des MOSFET erforderlichen Referenzspannung das Selbsteinschalten, das eine der Hauptursachen für Verluste ist. Die optimierte eingebaute parasitäre Diode verbessert den für Super Junction-MOSFETs spezifischen Soft Recovery Index, wodurch Rauschen reduziert wird, das zu Fehlfunktionen führen kann.
Die 600 V PrestoMOS Super Junction-MOSFETs der 4. Generation von ROHM Semiconductor sind N-Kanal-Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand von 71 mΩ bis 114 mΩ, Dauersenkstrom von 9 A bis 77 A und 120 V/ns-MOSFET dv/dt. Diese MOSFETs sind in TO-220FM-3-, TO-220AB-3- und TO-247-3 Gehäuse-Ausführungen erhältlich und verfügen über einen breiten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 ℃ bis +150 ℃.
Merkmale
- Extrem schnelle Sperrverzögerungzeit (trr)
- 600 V Drain Source-Spannung (VDSS)
- Dauersenkenstrom (ID): 9 A bis 77 A
- Gate Source-Spannung (VGSS): -30 V, +30 V
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS (ON): Von 71 mΩ bis 114 mΩ
- 120 V/ns MOSFET dv/dt
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Verlustleistung (PD): 61 W bis 781 W
- Betriebsanschluss- undLagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis 150 °C
- Gehäuseoptionen: TO-220FM-3, TO-220AB-3 und TO-247-3
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schalt-Applikationen
- Motorantrieb-Applikationen
Applikationsinfos
Ressourcen
Schaltschema- und Gehäuseoptionen
PrestoMOS-Vorteile
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-28
| Aktualisiert: 2023-01-11