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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Datenblatt
720Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Datenblatt
5 047Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
567Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 952Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 893Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 042Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 933Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 029Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 025Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 113Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 190Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 003Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 969Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube