Neu JFET HF-Transistoren
CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.
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CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.09.07.2023
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Qorvo QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMTBietet 32,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 10,4 dB Verstärkung und 63 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo QPD2120D 1200 µm Diskreter GaAs pHEMTBietet eine Ausgangsleistung von 31 dBm bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 57 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo QPD2080D 800 µm diskreter GaAs-pHEMTBietet 29,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 56 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo QPD2060D 600 µm Diskreter GaAs pHEMTBietet eine Ausgangsleistung von 28 dBm bei 1 dB, eine gain von 12 dB und einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad von 55 % bei 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo QPD2040D 400um Diskretes GaAs-pHEMT-PlättchenEntwickelt mit Qorvos bewährtem Standard 0,25um Power-pHEMT-Produktionsprozess.14.02.2022 -
Qorvo QPD2018D 180um Diskretes GaAs-pHEMT-PlättchenVerwendet Qorvos bewährten Standard 0,25um Power-pHEMT-Produktionsprozess.14.02.2022 -
Qorvo QPD2025D 250um Diskretes GaAs-pHEMT-PlättchenEntwickelt mit Qorvos bewährtem Standard 0,25 um Power-pHEMT-Produktionsprozess.14.02.2022