Qorvo QPD1026LEVB Evaluierungsboard
Das Qorvo QPD1026LEVB Evaluierungsboard ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD1026L GaN-HF-Eingangs-abgestimmten Transistor. Der QPD1026L ist ein diskreter 1.300-W-Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird. Der QPD1026L bietet eine lineare Gain von 25,9 dB bei 440 MHz.Die Eingangs-Vorabanpassung innerhalb des Gehäuses führt zu einer einfacheren externen Boardanpassung, wodurch Boardplatz gespart wird. Das Bauteil unterstützt sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe.
Das QPD1026LEVB Evaluierungsboard von Qorvo verfügt über einen vorbestückten QPD1026L in einem NI-1230-Lufthohlraum-Industriestandardgehäuse. Das QPD1026L-Gehäuse enthält einen Ohrenflansch für die Bolzenmontage. Das Evaluierungsboard bietet eine Beispiel-Applikations-Schaltung, die ein schnelles Prototyping bei einem Einsatz in bestehende Designs ermöglicht.
Unterstützte Bauteile
Qorvo QPD1026L Eingangsabgestimmter HF-GaN-Transistor
Diskreter GaN-auf-SiC-HEMT von 1.300 W (P3dB), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird.
Board-Layout
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-04
| Aktualisiert: 2022-03-11