Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Die eingangsangepassten GaN-Transistoren der Baureihe QPD1011A von Qorvo sind Galliumnitrid-auf-Siliciumcarbid-High-Electron-Mobility-Transistoren (GaN-on-SiC-HEMT) mit 7 W (P3dB), 50-Ω-Eingangsanpassung, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz betrieben werden. Ein integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk ermöglicht eine breitbandige Verstärkung- und Leistungsfähigkeit, während der Ausgang on-board angepasst werden kann, um die Leistung und den Wirkungsgrad für jeden Bereich innerhalb des Frequenzbereichs zu optimieren. Die Transistoren der Baureihe QPD1011A von Qorvo sind in einem bleifreien SMT-Gehäuse von 6 mm x 5 mm x 0,85 mm untergebracht, das Platz bei den ohnehin schon beengten Handfunkgeräten spart.
Merkmale
- 7 W (P3dB), diskreter GaN-on-SiC-HEMT mit 50 Ω Eingangsimpedanz
- Arbeitet im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz bei einer Versorgungsspannung von 50 V
- Integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk
- Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand
- CW- und Impuls-fähig
- Oberflächenmontiertes DFN-Gehäuse mit den Abmessungen 6 mm x 5 mm x 0,85 mm
- SVHC- und PFOS-frei
- Bleifrei, halogen-/antimonfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Militär-Radar
- Zivil-Radar
- Landmobil- und Militärfunk-Kommunikation
- Prüf- und Messgeräte
- Breitband- oder Schmalband-Verstärker
- Störsender
Technische Daten
- +145 V maximale Durchschlagspannung
- 1,46 A maximaler Drainstrom
- Drain-Spannungsbereich von 12 V bis 55 V
- Typischer Drain-Bias-Strom von 20 mA
- -7 V bis +2 V maximaler Gate-Spannungsbereich, typisch -2,8 V
- Maximaler Gate-Strombereich von 3,6 mA
- Maximale Verlustleistung von 14,7 W, 10 W Betriebsleistung
- 27 dBm maximale HF-Eingangsleistung
- Typischer Frequenzbereich von 0,6 GHz bis 1,2 GHz
- Lineare Verstärkungsbereiche
- 18,7 dB bis 21,3 dB leistungsoptimiert
- 20,9 dB bis 22,5 dB effizienzoptimiert
- Ausgangsleistungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 39,1 dBm bis 39,7 dBm leistungsoptimiert
- 37,3 dBm bis 38,4 dBm effizienzoptimiert
- Bereiche der Leistungszusatzeffizienz bei 3 dB Komprimierung
- 49,1 % bis 59,4 % leistungsoptimiert
- 55,4 % bis 71,6 % effizienzoptimiert
- Verstärkungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 15,7 dB bis 18,3 dB leistungsoptimiert
- 17,9 dB bis 19,5 dB effizienzoptimiert
- +320 °C maximale Montagetemperatur für 30 s
- -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- Maximale Kanaltemperatur +250 °C
- Feuchteempfindlichkeitsstufe (MSL) 3
- ESD-Festigkeitswerte gemäß ANSI/ESD/JEDEC JS-001
- 250 V Human-Body-Modell (HBM)
- 1000 V Charged Device Model (CDM)
Funktionales Blockdiagramm
Verwandtes Development Tool
Qorvo QPD1011AEVB Evaluierungsboard
Speziell entwickelt zur schnellen Charakterisierung von Bauteilen und zum Prototyping von Verstärkern im Frequenzbereich von 100 MHz bis 1 GHz.
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-13
| Aktualisiert: 2026-01-19