QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

Die eingangsangepassten GaN-Transistoren der Baureihe QPD1011A von Qorvo sind Galliumnitrid-auf-Siliciumcarbid-High-Electron-Mobility-Transistoren (GaN-on-SiC-HEMT) mit 7 W (P3dB), 50-Ω-Eingangsanpassung, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz betrieben werden. Ein integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk ermöglicht eine breitbandige Verstärkung- und Leistungsfähigkeit, während der Ausgang on-board angepasst werden kann, um die Leistung und den Wirkungsgrad für jeden Bereich innerhalb des Frequenzbereichs zu optimieren. Die Transistoren der Baureihe QPD1011A von Qorvo sind in einem bleifreien SMT-Gehäuse von 6 mm x 5 mm x 0,85 mm untergebracht, das Platz bei den ohnehin schon beengten Handfunkgeräten spart.