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onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 V

Das EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET-Modul mit 650 V NXVF6532M3TG01 von onsemi ist für Leistungsumwandlungsanwendungen in Fahrzeug- und Industrieumgebungen konzipiert. Das Bauteil NXVF6532M3TG01 von onsemi wird mit der fortschrittlichen  Siliciumcarbid-Technologie (SiC) hergestellt und bietet überragende Effizienz, schnelle Schaltvorgänge und robuste thermische Leistung. Das Modul integriert vier SiC-MOSFETs mit 32 mΩ in einer H-Brücken-Anordnung, wodurch sich das Gerät ideal für den Einsatz in  Onboard-Ladegeräten (OBCs),  DC/DC-Wandlern und  Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge (EV) eignet. Untergebracht in einem kompakten  APM16-Gehäuse  mit integrierter Temperaturmessung unterstützt das Bauteil eine hohe Leistungsdichte und zuverlässiges Wärmemanagement. Das Bauteil NXVF6532M3TG01   ist gemäß AEC-Q101/Q200 und AQG324 zugelassen und gewährleistet Zuverlässigkeit und Betriebsverhalten unter rauen Betriebsbedingungen in Fahrzeugen.

Merkmale

  • SiC-MOSFET-Modul mit 650 V, 32 mΩ, Al2O3 DBC
  • H-Brücke mit SIP für Onboard-Ladegeräte (OBC)
  • Luftstrecke/Abstand gemäß IEC60664-1, IEC 60950-1
  • Kompakte Bauweise für geringen Gesamtmodulwiderstand
  • Modulserialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit
  • Fahrzeugsleistungsmodul 16 (APM16)-Gehäuse, 40,10 mm x 21,90 mm x 4,50 mm, 1.90P, Case 829AA
  • UL 94V-0-zertifiziert
  • Bleifrei und RoHs-konform
  • Gemäß AEC-Q101/Q200 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen

Applikationen

  • PFC-/DC/DC-Wandler für Onboard-Ladegeräte in Elektrofahrzeugen (EVs)
  • Antriebssysteme von Elektrofahrzeugen
  • Industrielle Motorantriebe
  • Erneuerbare Energiesysteme

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source-Spannung: 650 V
  • Maximaler Spannungsbereich von Gate zu Source: -8 V – +22 V
  • Maximale empfohlene Betriebswerte der Spannung von Gate zu Source: -3 V – +18 V
  • Maximaler Dauersenkenstrom: 31 A
  • Maximaler Leistungsverlust: 65,2 W
  • Maximaler gepulster Drainstrom: 165 A
  • Maximaler Source-Strom der Körperdiode: 14,5 A
  • Maximale Einzelimpuls-Drain-zu-Source Avalanche-Energie: 139 mJ
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 °C – +175 °C
  • Thermischer Widerstand
    • Verbindung zum Gehäuse: 2,3 °C/W, 1,74 °C/W typisch
    • Verbindung zum Kühlkörper: 2,43 °C/W typisch

Pin-Konfiguration und Schaltschema

Schaltplan - onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 V

Abmessungen

Technische Zeichnung - onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-29 | Aktualisiert: 2025-08-08