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NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 19.51 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXVF6532M3TG01

Herst.- Nr.:

NXVF6532M3TG01

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

NXVF6532M3TG01 Datenblatt

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	19.51 CHF	19.51 CHF
	18.38 CHF	183.80 CHF
100	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	44 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	58 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	65.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	9.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NXVF6532M3TG01
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	4 N-Channel
Typ:	Half Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	33.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.4 ns

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Datenblatt

NXVF6532M3TG01 Datenblatt

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Das EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET-Modul mit 650 V NXVF6532M3TG01 von onsemi ist für Leistungsumwandlungsanwendungen in Fahrzeug- und Industrieumgebungen konzipiert. Das Bauteil NXVF6532M3TG01 von onsemi wird mit der fortschrittlichen Siliciumcarbid-Technologie (SiC) hergestellt und bietet überragende Effizienz, schnelle Schaltvorgänge und robuste thermische Leistung. Das Modul integriert vier SiC-MOSFETs mit 32 mΩ in einer H-Brücken-Anordnung, wodurch sich das Gerät ideal für den Einsatz in Onboard-Ladegeräten (OBCs), DC/DC-Wandlern und Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge (EV) eignet. Untergebracht in einem kompakten APM16-Gehäuse mit integrierter Temperaturmessung unterstützt das Bauteil eine hohe Leistungsdichte und zuverlässiges Wärmemanagement. Das Bauteil NXVF6532M3TG01 ist gemäß AEC-Q101/Q200 und AQG324 zugelassen und gewährleistet Zuverlässigkeit und Betriebsverhalten unter rauen Betriebsbedingungen in Fahrzeugen.