onsemi NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module
Die NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi enthalten 8 mΩ/ 1200 V, 10 mΩ/ 1200 V, 15 mΩ/ 1200 V und 30 mΩ/ 1200 V M3S SiC-MOSFETs, die auf der Halbbrückentopologie und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse basieren. Diese Module verfügen über bereits aufgetragenes Wärme-Ableitungsmaterial (TIM) und ohne bereits aufgetragenes TIM. Die NXH0xxP120M3F1 Module sind mit Einpressstifte ausgelegt und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Diese Leistungsmodule werden in Solarwechselrichtern, Industrieleistung, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) verwendet.
Merkmale
- 8 mΩ/1.200 V M3S-SiC-MOSFET (NXH008P120M3F1)
- 10 mΩ/1.200 V M3S-SiC-MOSFET (NXH010P120M3F1)
- 15 mΩ/1.200 V M3S-SiC-MOSFET (NXH015P120M3F1)
- 30 mΩ/1.200 V M3S-SiC-MOSFET (NXH030P120M3F1)
- Optionen mit zuvor aufgebrachtem Wärme-Ableitmaterial (TIM) und ohne zuvor aufgebrachtes TIM
- Halbbrückentopologie
- Thermistor-
- Einpressstifte
- Bleifrei, halidfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Industrielle Leistung
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
Schaltschema
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Veröffentlichungsdatum: 2024-07-31
| Aktualisiert: 2024-08-28