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NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 122.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-H008T120M3F2PTHG

Herst.- Nr.:

NXH008T120M3F2PTHG

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	PIM-29
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	129 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	20.6 ns
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	137 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41.5 ns
Vf - Durchlassspannung:	4.8 V