onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
Der onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 114 A und einen Drain-Source-Widerstand von 2,45 mΩ bei 10 V. Der NVTFWS002N04XM MOSFET von onsemi ist in einem µ8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mmund einem kleinen Footprint verfügbar und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Kleiner Footprint (3,3 mm x 3,3 mm) mit kompaktem Design
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Motortreiber
- Batterieschutz
- Synchrongleichrichtung
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Spannung
- 2,45 mΩ Drain-Source-On-Widerstand bei 10 V
- 114 AA Dauersenkenstrom
Thermische Einschwingzeit
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-10
| Aktualisiert: 2025-04-17