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NVTFWS002N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS002N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS002N04XMTAG
Price: 0.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VTFWS002N04XMTAG

Herst.- Nr.:

NVTFWS002N04XMTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVTFWS002N04XMTAG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.809 CHF	0.81 CHF
	0.524 CHF	5.24 CHF
	0.432 CHF	43.20 CHF
	0.414 CHF	207.00 CHF
	0.403 CHF	403.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.402 CHF	603.00 CHF
	0.377 CHF	1 131.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	114 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	59 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	NVTFWS002N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

NVTFWS002N04XMTAG Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVTFWS002N04XM MOSFET

Der onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 114 A und einen Drain-Source-Widerstand von 2,45 mΩ bei 10 V. Der NVTFWS002N04XM MOSFET von onsemi ist in einem µ8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mmund einem kleinen Footprint verfügbar und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.