onsemi NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 60 V, 9,2 mΩ und 50 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Gate-Ladung (QG) und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mmm x 6 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V
- Dauersenkenstrom (ID) bei TC = 25 °C: 50 A
- Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)): 9,2 mΩ
- LFPAK4-Industriestandard-Gehäuse
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsschalter (wie High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücke)
- Magnettreiber
- Motorsteuerung
- Lastschalter
- Schaltnetzteile
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14
| Aktualisiert: 2024-02-28