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NVMYS9D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS9D3N06CLTWG
Price: 1.28 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS9D3N06CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS9D3N06CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL LFPAK

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMYS9D3N06CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	0.808 CHF	8.08 CHF
	0.54 CHF	54.00 CHF
	0.426 CHF	213.00 CHF
	0.387 CHF	387.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.351 CHF	1 053.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	9.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	46 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	NVMYS9D3N06CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

NVMYS9D3N06CLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 60 V, 9,2 mΩ und 50 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Gate-Ladung (Q_G) und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVMYS9D3N06CL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.