onsemi NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist in einem TCPAK5x7-Gehäuse für kompakte, effiziente Designs und eine hohe thermische Leistungsfähigkeit verfügbar. Der NVMJST1D3N04C ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVMJST1D3N04C MOSFET von onsemi eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen, die eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mmm x 7 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
- Oberseitig gekühltes TCPAK57-Gehäuse, 5 mm x 7 mm
- Nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig
- Diese Bauteile sind bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Leistungsschalter
- High-Side-Treiber
- Low-Side-Treiber
- H-Brücken
- Batterie-Verpolungsschutz
- Schaltnetzteile
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Spannung
- ±20 V Gate-Source-Spannung
- 386 AA Dauersenkenstrom
- 1,39 mohm bei 10 V Drain-Source-On-Widerstand
Gehäusetyp
Thermische Eigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-16
| Aktualisiert: 2024-06-07