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NVMJST1D3N04CTXG

Name: onsemi NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJST1D3N04CTXG
Price: 2.2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMJST1D3N04CTXG

Herst.- Nr.:

NVMJST1D3N04CTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Datenblatt:

NVMJST1D3N04CTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1.50 CHF	15.00 CHF
	1.27 CHF	127.00 CHF
	1.25 CHF	625.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.16 CHF	3 480.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TCPAK-10
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	386 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	145 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Serie:	NVMJST1D3N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns

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Datenblatt

NVMJST1D3N04CTXG Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist in einem TCPAK5x7-Gehäuse für kompakte, effiziente Designs und eine hohe thermische Leistungsfähigkeit verfügbar. Der NVMJST1D3N04C ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVMJST1D3N04C MOSFET von onsemi eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen, die eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.