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onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5832NL von onsemi ist ein leistungsstarker MOSFET, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern. Das auf der fortschrittlichen Trench-Technologie basierende Bauteil NVMFS5832NL von onsemi bietet einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on) von 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, wodurch geringere Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung geboten werden. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V und einem Dauer-Drain-Strom von bis zu 120 A eignet sich dieser MOSFET ideal für anspruchsvolle Umgebungen wie DC-DC-Wandler, Synchrongleichrichtung und Motorsteuerung. Das kompakte 5 mm x 6 mm große Power-DFN-Gehäuse gewährleistet eine hohe Leistungsdichte und eine hervorragende Wärmeableitung, während die geringe Gate-Ladung des Bauteils ein schnelles Schalten für einen höheren Wirkungsgrad in Hochfrequenz-Designs ermöglicht.

Merkmale

  • Gerät mit 40 V, 4,2 mΩ, 120 A
  • Gehäuse: DFN5 (SO-8FL) Case 488AA Style 1
  • Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für kompakte Designs
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
  • Produkt mit benetzbaren Flanken:
  • Gemäß AEC-Q101 zugelassen und PPAP-fähig.
  • Bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Motorsteuerungsmodule
  • Karosseriesteuerungsmodule
  • Fahrwerkssteuerungsmodule

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source-Spannung: 40 V
  • Maximale Gate-Source-Spannung: ±20 V
  • Maximaler gepulster Drainstrom: 557 A
  • Maximaler Body-Diode-Source-Strom: 120 A
  • Maximale Avalanche-Energie eines einzelnen Impulses zwischen Drain und Source: 134 mJ
  • AUS-Eigenschaften
    • Minimale Drain-Source-Durchschlagsspannung: 40 V
    • Typischer Temperaturkoeffizient der Drain-Source-Durchschlagsspannung: 34,2 mV/°C
    • Maximaler Drain-Strombereich bei Null-Gate-Spannung: 1 µA – 100 µA
    • Maximaler Gate-Source-Ableitstrom: ±100 nA
  • EIN-Eigenschaften
    • Gate-Schwellenspannungsbereich: 1,4 V bis 2,4 V
    • Typischer negativer Schwellentemperaturkoeffizient: 6,4 mV/°C
    • Maximaler Drain-Source-On-Widerstandsbereich: 4,2 mΩ – 6,5 mΩ
    • Typische Vorwärts-Transkonduktanz: 21 S
  • Typische Kapazität
    • Eingang: 2.700 pF
    • Ausgang: 360 pF
    • Rückübertragung: 250 pF
  • Typische elektrische Ladungen
    • Gesamt-Gate-Ladungsbereich: 25 nC – 51 nC
    • Schwellenwert der Gate-Ladung: 2,0 nC
    • Gate-Source: 8,0 nC
    • Gate-Drain: 12,7 nC
  • Typische Plateau-Spannung: 3,2 V
  • Schalteigenschaften
    • Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
    • 24 ns Anstiegszeit
    • Abschaltverzögerungszeit: 27 ns
    • 8.0 ns Abfallzeit
  • Charakteristik der Drain-Source-Diode
    • Maximale Durchlassdiodenspannung: 1,2 V
    • Typische Sperrverzögerungzeit: 28,6 ns
    • Typische Ladezeit: 14 ns
    • Typische Entladezeit: 14,5 ns
    • Typische Sperrverzögerungsladung: 23,4 nC
  • Thermischer Widerstand
    • Sperrschicht zur Montageplatte (oben), stationärer Zustand: 1,2 °C/W
    • Sperrschicht zur Umgebung, stationärer Zustand: 40 °C/W
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C – +175 °C 
  • Maximale Löttemperatur: +260 °C

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2025-11-11 | Aktualisiert: 2025-11-19