onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der einzelne n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS4C03NWFET1G von onsemi ist ein hocheffizientes Bauelement, das für anspruchsvolle Leistungsmanagement-Applikationen ausgelegt ist. Der NVMFS4C03NWFET1G ist in einem kompakten 5 mm x 6 mm großen PowerFLAT-Gehäuse untergebracht und bietet eine hervorragende Wärmeleistung sowie einen niedrigen RDS(on) von nur 0,9 mΩ bis 10 V, wodurch der MOSFET hervorragend zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromschaltungen geeignet ist. Dieser MOSFET von onsemi unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten und ist für die Verwendung in DC/DC-Wandlern, Synchrongleichrichtung, Lastschaltung und Motorsteuerungsapplikationen optimiert. Dank seines robusten Designs und seiner hohen Avalanche-Energiebewertung eignet sich der NVMFS4C03NWFET1G für den Einsatz in Telekommunikations-, Server- und industriellen Stromversorgungssystemen, bei denen Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad von entscheidender Bedeutung sind. Der NVMFS4C03NWFET1G bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung, Größe und Robustheit und ist somit eine vielseitige Wahl für moderne Leistungselektronik.
Merkmale
- Kleiner Footprint von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- Benetzbare Flanken für eine verbesserte optische Inspektion
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Blei- und halogenfrei/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Synchrongleichrichtung
- Lastschaltung
- Motorsteuerung
- Stromversorgung für Telekommunikationssysteme
- Leistungsmanagement für Server und Rechenzentren
- Batteriemanagementsysteme (BMS)
Technische Daten
- 30 V maximale Drain-Source-Spannung
- ±20 V maximale Gate-Source-Spannung
- Bereich für den maximalen Dauersenkenstrom von 34,9 A bis 159 A
- 3,71 W bis 77 W maximaler Leistungsverlustbereich
- 900 A maximaler gepulster Drainstrom
- 64 A maximaler Bodydioden-Quellenstrom
- 549 mJ maximale Drain-Source-Avalanche-Energie für einen einzelnen Impuls
- SO-8 FL-Gehäuse
- Maximale Sperrspannung Drain-to-Source
- 1,7 mΩ at 10 V
- 2,4 mΩ at 4,5 V
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
- +260 °C maximale Löttemperatur
- Maximaler thermischer Widerstand
- 1,95 °C/W Sperrschicht-Gehäuse, stationärer Zustand
- 40 °C/W Übergangswärmewiderstand von Junction zu Umgebung, stationärer Zustand
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-02
| Aktualisiert: 2025-06-23