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NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 1.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS4C03NWFET1G

Herst.- Nr.:

NVMFS4C03NWFET1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS4C03NWFET1G Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.19 CHF	1.19 CHF
	0.746 CHF	7.46 CHF
	0.495 CHF	49.50 CHF
	0.388 CHF	194.00 CHF
	0.356 CHF	356.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.327 CHF	490.50 CHF
	0.295 CHF	1 327.50 CHF
	0.286 CHF	2 574.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	159 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	45.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	77 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

NVMFS4C03NWFET1G Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der einzelne n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS4C03NWFET1G von onsemi ist ein hocheffizientes Bauelement, das für anspruchsvolle Leistungsmanagement-Applikationen ausgelegt ist. Der NVMFS4C03NWFET1G ist in einem kompakten 5 mm x 6 mm großen PowerFLAT-Gehäuse untergebracht und bietet eine hervorragende Wärmeleistung sowie einen niedrigen R_DS(on) von nur 0,9 mΩ bis 10 V, wodurch der MOSFET hervorragend zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromschaltungen geeignet ist. Dieser MOSFET von onsemi unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten und ist für die Verwendung in DC/DC-Wandlern, Synchrongleichrichtung, Lastschaltung und Motorsteuerungsapplikationen optimiert. Dank seines robusten Designs und seiner hohen Avalanche-Energiebewertung eignet sich der NVMFS4C03NWFET1G für den Einsatz in Telekommunikations-, Server- und industriellen Stromversorgungssystemen, bei denen Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad von entscheidender Bedeutung sind. Der NVMFS4C03NWFET1G bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung, Größe und Robustheit und ist somit eine vielseitige Wahl für moderne Leistungselektronik.