onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive-SiC-MOSFET
Der Onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET ist ein 1200V M3S-planares Bauelement, das für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativen Gate-Spannungen und Ausschaltspitzen am Gate. Dieses Bauelement liefert optimale Leistung, wenn es mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einer 15-V-Gate-Ansteuerung.
Merkmale
- Extrem niedrige Gate-Ladung
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- TO-247-3L-Gehäuse
- 100% Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Halidfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a, bleifrei 2LI (auf der zweiten Ebene der Zusammenschaltung)
Applikationen
- Automotive On-Board-Ladegeräte
- Automotive DC/DC-Wandler für EV/HEV
Technische Daten
- Aus-Zustand
- 1200V minimale Drain-Source-Durchschlagspannung
- 0,3 V/°C typischer Temperaturkoeffizient der Drain-Source-Durchschlagspannung
- 100µA maximaler Drainstrom bei Null-Gate-Spannung
- ±1µA maximaler Gate-to-Source-Ableitstrom
- Ein-Zustand
- Gate-Schwellenspannung: 2.04V bis 4.4V
- Empfohlener Gate-Spannungsbereich: -3V bis 18V
- Typischer Drain-to-Source-On-Widerstand: 65mΩ bis 136mΩ
- 12S Vorwärts-Transkonduktanz
- Ladungen, Kapazitäten und Gate-Widerstand
- 1230pF Typische Eingangskapazität
- 57pF Typische Ausgangskapazität
- 5pF Typische Rückwärtsübertragungskapazität
- 57nC Typische Gesamt-Gate-Ladung
- 3.2nC Typische Schwellwert-Gate-Ladung
- 9.6nC Typische Gate-to-Source-Ladung
- 17nC Typische Gate-to-Drain-Ladung
- 4.3Ω Typischer Gate-Widerstand
- Schalten
- 10ns Typische Einschaltverzögerungszeit
- 24ns Typische Anstiegszeit
- 29ns Typische Abschaltverzögerungszeit
- 9.6ns Typische Abfallzeit
- 254µJ Typische Einschaltdämpfung
- 46µJ Typischer Abschaltverlust
- 300µJ Typischer Gesamtschaltverlust
- Source-Drain-Diode
- 31A Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom
- 98A Maximaler gepulster Durchlassstrom
- 4.7V Typische Durchlassdiodenspannung
- 14ns Typische Sperrverzögerungszeit
- 57nC Typische Sperrverzögerungsladung
- 3.1µJ Typische Sperrverzögerungsenergie
- 8.2A Typischer Spitzensperrverzögerungsstrom
- 7.7ns Typische Ladezeit
- 6.2ns Typische Entladezeit
- Maximaler thermischer Widerstand
- Sperrschicht-zu-Gehäuse: 0,94 °C/W
- Sperrschicht-zu-Umgebungstemperatur: 40 °C/W
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C
Schaltschema
Weitere Ressourcen
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-19
| Aktualisiert: 2024-06-18