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NVHL070N120M3S

Name: onsemi NVHL070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL070N120M3S
Price: 12.98 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL070N120M3S

Herst.- Nr.:

NVHL070N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

Datenblatt:

NVHL070N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	87 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NVHL070N120M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Datenblatt

NVHL070N120M3S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive-SiC-MOSFET

Der Onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET ist ein 1200V M3S-planares Bauelement, das für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativen Gate-Spannungen und Ausschaltspitzen am Gate. Dieses Bauelement liefert optimale Leistung, wenn es mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einer 15-V-Gate-Ansteuerung.

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).