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onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Einkanal-Leistungs-MOSFET NVBYST0D8N08X von onsemi wurde speziell für anspruchsvolle Leistungs- und Fahrzeuganwendungen entwickelt. Das Bauteil NVBYST0D8N08X basiert auf der fortschrittlichen MOSFET-Technologie von onsemi und vereint geringe Leitungsverluste mit robustem Betriebsverhalten. Damit ist das Gerät eine solide Wahl für Designs, bei denen sowohl Effizienz als auch Langlebigkeit erfordert sind. Der MOSFET ist für den Hochspannungsbetrieb optimiert und hält den schnellen Schaltvorgängen und hohen Stromlasten stand, die üblicherweise in Schaltkreisen in Leistungswandlern, Motorsteuerungen und beim Lastschalten auftreten.

Eine der wichtigsten Eigenschaften des MOSFET NVBYST0D8N08X onsemi ist der niedrige On‑Widerstand, der zur Reduktion der Wärmeentwicklung beiträgt und den Wirkungsgrad des Gesamtsystems, insbesondere unter hohen Lastbedingungen, verbessert. Das Gerät verfügt zudem über eine hohe Avalanche-Fähigkeit und eine robuste GATE-Struktur, was zu einem zuverlässigen Betrieb in Umgebungen, die zu elektrischen Störungen neigen, beiträgt. Das für oberflächenmontierbare Applikationen konzipierte Bauteil NVBYST0D8N08X unterstützt ein effizientes Wärmemanagement sowie eine unkomplizierte PCB-Integration. Es eignet sich hervorragend für kompakte Hochleistungs-Designs, bei denen Platzbedarf und Zuverlässigkeit gleichermaßen wichtig sind.

Merkmale

  • Niedrige QRR, Soft-Recovery-Body-Diode
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • Gehäuse: TCPAK1012 (Gehäuse DFLPAK16 [TopCool] 762AA)
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC
  • Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern
  • Motorantriebe
  • Fahrzeug-Systeme mit 48 V

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source-Spannung: 80 V
  • Maximale Gate-Source-Spannung: ±20 V
  • Maximale Dauersenkenstrom: 455 A bis 643 A
  • Maximaler On-Widerstand Gate-zu-Source: 0,79 mΩ
  • Maximaler Ableitstrom Gate-zu-Source: 100 nA
  • Maximaler Leistungsverlust: 652 W bei +25 °C
  • Maximaler gepulster Drainstrom: 1.976 A
  • Maximaler kontinuierlicher Strom zwischen Source und Drain (Body-Diode): 1.097 A
  • Maximale Avalanche-Energie eines einzelnen Impulses: 871 mJ
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
  • Maximale Löttemperatur: +260 °C
  • Thermische Eigenschaften
    • Thermischer Widerstand von Übergang zu Gehäuse (Oberseite): 0,23 °C/W
    • Thermischer Widerstand von Übergang zu Umgebung: 38 °C/W
    • Parameter für thermische Charakterisierung von Übergang zu Source-Leitung (Pins 1-7): 3,9 °C/W
    • Parameter für thermische Charakterisierung von Übergang zu Drain-Leitung (Pins 9-16): 3,3 °C/W

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-20 | Aktualisiert: 2026-04-14