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NVBYST0D8N08XTXG

Name: onsemi NVBYST0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBYST0D8N08XTXG
Price: 6.26 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBYST0D8N08XTXG

Herst.- Nr.:

NVBYST0D8N08XTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

NVBYST0D8N08XTXG Datenblatt (PDF)

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	2.64 CHF	2 640.00 CHF
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	2.64 CHF	3 960.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFLPAK-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	643 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	790 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	182 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	652 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	324
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	NVBYST0D6N08X
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	86 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns

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Datenblatt

NVBYST0D8N08XTXG Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVBYST0D6N08X n-Kanal-Leistungs-MOSFET von 80 V bietet einen niedrigen Q_RR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool). Dieser MOSFET bietet einen niedrigen RDS_(on)zur Minimierung der Leitungsverluste sowie einen niedrigen Q_G und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Das Bauteil NVBYST0D6N08X von onsemi ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikation für diesen MOSFET gehören Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Motorantriebe und Fahrzeugsysteme mit 48 V.

NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Einkanal-Leistungs-MOSFET NVBYST0D8N08X von onsemi wurde speziell für anspruchsvolle Leistungs- und Fahrzeuganwendungen entwickelt. Das Bauteil NVBYST0D8N08X basiert auf der fortschrittlichen MOSFET-Technologie von onsemi und vereint geringe Leitungsverluste mit robustem Betriebsverhalten. Damit ist das Gerät eine solide Wahl für Designs, bei denen sowohl Effizienz als auch Langlebigkeit erfordert sind. Der MOSFET ist für den Hochspannungsbetrieb optimiert und hält den schnellen Schaltvorgängen und hohen Stromlasten stand, die üblicherweise in Schaltkreisen in Leistungswandlern, Motorsteuerungen und beim Lastschalten auftreten.